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Guavae ist die operative Marken von SolNanoTek SA (SNT)

TECHNOLOGIE

 

Silizium-basierte Dünnschichten

Für amorphes (a-Si) und mikrokristallines (µc-Si) Silizium werden Aufdampftechniken auf starre (z.B. Glas) oder flexible (z.B. Polymer)-Substrate verwendet.

Das beste Ergebnis erzielen Si-basierte Tandem-Dünnschicht-Solarzellen, in welchen a-Si die obere Zelle und µc-Si die untere Zelle bilden. Zusammen ergeben sie eine Mehrfachsolarzelle oder (mikromorphe) Zelle, welche einen grösseren Teil des Lichtspektrums erfasst.

 

aSiTandemModule

Heteroübergang mit intrinsischer Dünnschicht (HIT)

HIT-Solarzellen bestehen aus einer monokristallinen Silizium-Platte, welche beidseitig von einer ultra-dünnen amorphen Silizium-Schicht umgeben ist.  Diese ermöglichen eine bessere Leistung bei höheren Temperaturen.

Streng genommen sind HIT-Solarzellen keine Dünnschicht-Zellen, sind aber effizienter als heute gängige Si-basierte Zellen, sie minimieren interne Verluste und verbessern die allgemeine Modulleistung.

HITsolarPane

Cadmiumtellurid (CdTe) Dünschichten

CdTe-Module bieten eines der besten Preis-/ Leistungsverhältnisse in der Branche und haben Produktionskosten von deutlich unter einem US-Dollar.

Die Module haben bessere Leistungsdaten bei hohen Temperaturen und in der Dämmerung. Zudem erzeugen sie eine sehr tiefen CO2 Belastung in der Herstellung.

CdTeThinFilmModules


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