TECHNOLOGIE
Silizium-basierte Dünnschichten
Für amorphes (a-Si) und mikrokristallines (µc-Si) Silizium werden Aufdampftechniken auf starre (z.B. Glas) oder flexible (z.B. Polymer)-Substrate verwendet.
Das beste Ergebnis erzielen Si-basierte Tandem-Dünnschicht-Solarzellen, in welchen a-Si die obere Zelle und µc-Si die untere Zelle bilden. Zusammen ergeben sie eine Mehrfachsolarzelle oder (mikromorphe) Zelle, welche einen grösseren Teil des Lichtspektrums erfasst.
Heteroübergang mit intrinsischer Dünnschicht (HIT)
HIT-Solarzellen bestehen aus einer monokristallinen Silizium-Platte, welche beidseitig von einer ultra-dünnen amorphen Silizium-Schicht umgeben ist. Diese ermöglichen eine bessere Leistung bei höheren Temperaturen.
Streng genommen sind HIT-Solarzellen keine Dünnschicht-Zellen, sind aber effizienter als heute gängige Si-basierte Zellen, sie minimieren interne Verluste und verbessern die allgemeine Modulleistung.
Cadmiumtellurid (CdTe) Dünschichten
CdTe-Module bieten eines der besten Preis-/ Leistungsverhältnisse in der Branche und haben Produktionskosten von deutlich unter einem US-Dollar.
Die Module haben bessere Leistungsdaten bei hohen Temperaturen und in der Dämmerung. Zudem erzeugen sie eine sehr tiefen CO2 Belastung in der Herstellung.